抓住关键窗口期,抢占第三代半导体战略制高

目录

一、论坛概况

二、技术最新动态及趋势7

、碳化硅电力电子器件已初步具备产业化应用条件7

、氮化镓电力电子器件具备在小功率范围率先应用的技术和经济优势7

3、第三代半导体高频特性将在新一代移动通信中发挥重要作用8

4、第三代半导体材料的固态紫外器件技术有待实用化8

三、论坛达成的共识及成果9

、第三代半导体将是推动人类绿色发展的重要支撑9

、中国开展第三代半导体技术研发和产业布局刻不容缓

3、中国正在成为全球第三代半导体创新合作及创业新热土

附件一:分会精彩回顾4

分会一:碳化硅电力电子器件技术4

分会二:氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术

分会三:第三代半导体与新一代移动通信技术6

分会四:第三代半导体与固态紫外器件技术3

附件二:会议赞助鸣谢36

附件三:媒体支持鸣谢37

抓住关键窗口期,抢占第三代半导体战略制高点

——06第三代半导体国际论坛总结

06年月5日至7日,06中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛在北京国际会议中心隆重召开。

作为大会的重点领域,第三代半导体国际论坛(IFWS)大会在北京市科学技术委员会的指导和中关村科技园区顺义园管理委员会等的支持下,以及第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)的精心组织下,从最前沿的信息把握、产学研的合作促进、技术的转移转化、推动国际及国内政产的合作创新等方面均取得了显著的成果,对促进我国第三代半导体的快速发展,抢占战略制高点,促进全球产业经济的绿色发展具有重要意义。会议获得了国家科学技术部、国家发展与改革委员会、国家工业与信息产业部和北京市人民政府的大力支持和好评,相关学会、联盟和机构也积极协助参与其中,并与跨国技术转移大会的“健康产业”“绿色发展”“新一代信息技术”专场形成了良好的互动融合,形成了"一会融多方、合力促发展"的良好局面。

一、论坛概况

IFWS论坛总体具有学术水平高、参与层面广、引领性强、国际化程度高的特征。论坛由国家科技部原副部长曹健林,南京大学电子科学与工程学院教授、中国科学院院士郑有炓担任大会中方主席,诺贝尔奖得主、蓝光LED发明人中村修二,荷兰代尔夫特理工大学教授、IEEE电力电子学会主席BrahamFerreira担任大会外方主席。论坛共有注册代表93人,涵盖美国、英国、德国、意大利、俄罗斯、荷兰、日本、澳大利亚等9个国家以及港澳台地区。此次论坛共向全球征集优质论文4篇,经过程序委员会严格筛选,推荐37篇优秀论文全文发表在IEEEXplore电子图书馆,并获得EI检索资质。论坛从SiC和GaN两种材料的单晶衬底、外延、器件工艺、封装和应用等方面,均有国内外技术和产业界的顶尖专家学者进行报告演讲和交流讨论,涉及内容都是当前技术的核心和热点。

国家科技部原副部长曹健林

在月5日技术转移大会开幕式上,诺贝尔奖得主、蓝光LED发明人中村修二代表第三代半导体领域进行了大会致词,4个第三代半导体的国际合作项目进行了签约。在大会主题报告会上,3位在国际上有影响的第三代半导体领域的专家分别就第三代半导体的重要意义、国内外的发展现状及趋势、不同国家的战略措施等进行了报告,引起参会人员的极大







































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